CARACTERÍSTICAS GENERALES | |
Componentes
| Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology |
Capacidad
| 480 GB |
Factor de forma
| 2.5 inch SATA |
Interfaz
| SATA - 6.0 Gb/s |
Litografía
| 25 nm |
FIABILIDAD:
Consumo- Activo
| 850 mW (MobileMark 2007 Workload) |
Consumo- Inactivo
| 600 mW (DIPM) |
Vibración - En funcionamiento
| 2.17 GRMS (5-700 Hz) |
Vibración - No en funcionamiento
| 3.13 GRMS (5-800 Hz) |
Choque (en funcionamiento o no en funcionamiento)
| 1,500 G/.5 msec |
Temperatura de funcionamiento
| 0 - 70 C |
Peso
| Up to 78 grams |
Tiempo promedio entre fallos (MTBF)
| 1,200,000 Hours |
Tasa de errores de bit incorregibles (UBER)
| 1 sector per 1016 |
Periodo de garantía
| 5 yrs |
PRESTACIONES
- Built with compute-quality Intel 25 nm NAND Flash Memory
- Random read performance up to 50,000 input/output operations per second (IOPS)1
- Sequential read performance of up to 550 megabytes per second (MB/s),2
- Random writes up to 80,000 IOPS3 and sequential writes of 520 MB/s2
Aquí podeis ver las especificaciones más detalladas en castellano: http://ark.intel.com/es-es/products/66251/Intel-SSD-520-Series-(480GB-2_5in-SATA-6Gbs-25nm-MLC)
http://www.intel.com/content/www/us/en/solid-state-drives/solid-state-drives-520-series.html
Pienso que lo mejor es compararlo con un disco duro de los más caros y modernos, el ST33000650NS por ejemplo (3,5”). Aunque el precio por Gb es todavía superior en el disco SSD, las velocidades de transferencia, en ambos casos, rozan el límite del estándar SATA III, que es donde parece que estará, en breve, el cuello de botella.
ResponderEliminarLas superiores característica generales son: mucho mejores tiempos de búsqueda (secuencial y aleatoria), lectura y escritura. También menor ruido, menos producción de calor, consumos muy bajos, menor tamaño y peso.
En cuanto a la fiabilidad: soporta mejor las vibraciones y los golpes; tienen menos tasa de errores y similares características de MTBF que los discos duros más caros.
(35')
Me parece una respuesta muy buena. Gracias por participar.
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